ИССДЕДОВАНЕ ХИМИЧЕСКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ И СТЕКЛООБРАЗОВАНИЯ В СИСТЕМЕ AS2SE3- TLТЕ
Ключевые слова:
система, эвтектика, микротвердость, плотность, солидус
Аннотация
Методами дифференциально-термического (ДТА), рентгенофазового (РФА), микроструктурного
(МСА), а также измерения микротвердости и определения плотности исследовано химическое
взаимодействие и стеклообразование в системе As2Se3-TlТе и построена ее диаграмма состояния.
Установлено, что разрез As2Se3-TlТе является квазибинарным сечением четверной системы As,Tl // Se,Te.
В системе образуются два четверных соединения: TlAs2Se3Te, плавящиеся инконгруэнтно при 225°C, и
In3As2S3Te3, плавящиеся конгруэнтно при 285°C. Твердые растворы на основе As2Se3 при комнатной
температуре достигают 1,6 мол. % TlTe, а твердых растворов на основе TlTe практически не обнаружено.
Все полученные образцы стеклообразные.
Литература
1. Ljubin V.M., Fomina V.I. Fotojelektricheskoe i katodojelektronnoe sostojanie v slojah Tl2Se-As2Se3 // FTT, 1963, t.5, №12, s.3367- 3372.
2. Kirilenko V.V., Dembovskij S.A., Poljakov Ju.A. Opticheskie svojstva stekol v sistemah As2S3–TlS i As2Se3–TlSe // Izvestija AN SSSR. Neorganicheskie materialy, 1975, t.11, №11, s.1923-1928.
3. Kirilenko V.V., Nikitin V.K., Dembovskij S.A. Stekloobrazovanie i osobennosti himicheskogo vzaimodejstvija v hal'kogenidnyh sistemah As2H3–Tl2H // Izvestija AN SSSR. Neorganicheskie materialy, 1975, t.11, №11, s.1929-1935.
4. Aliev I.I., Babanly M.B., Farzaliev A.A. Opticheskie i fotojelektricheskie svojstva tonkih plenok stekol (As2Se3)1-h(TlSe)h (h=0,05-0,10) // XI Mezhdunarodnaja konferencija po fizike i tehnologii tonkih plenok. Ivanovo-Frankovsk, Ukraina, 7-12 maja, 2007, s. 86.
5. Flaschen S.S., Pearson A.F., Northover W.R. Formation and properties of low-melting glasses in the ternary systems As–Tl–S, As–Tl–Se and As–Se–S // J. Amer. Gram. Soc., 1960, v. 43, No1, p. 271-278.
6. Aliev I.I., Farzaliev A.A., Aliev I.G., Magammedragimova R.S., Veliev Dzh.A. Fazovye ravnovesija i stekloobrazovanie v sisteme As2S3- TlAs2S2Se2 // Himicheskie problemy, 2008, № 1, s. 215-218.
7. Aliev I.I, Aliev I.G., Farzaliev A.A., Veliev Dzh.A. Harakter vzaimodejstvija i stekloobrazovanija v sisteme TlAs2S4-Tl 3As2S3Se3 // Zhurn. neorgan. himii.2008.t.53.№6.s.1037-1039.
8. Veliev Dzh.A., Aliev I.I., Mamedova A.Z. Fazovoe ravnovesie v sisteme As2S3-TlSe // Zhurn. neorgan. himii. 2007.t.52. № 2.s.312-315.
9. Zargarova M.I., Mamedov A.N., Azhdarova Dzh.S., Ahmedova (Veliev) Dzh.A., Abilov Ch.I. Spravochnik: Neorganicheskie veshhestva, sintezirovannye i issledovannye v Azerbajdzhane. Baku. Izd. Jelm. 2004.462 s.
10.Fu L.B., Fuerbach A., Littler I.C.M., and Eggleton B.J., Efficient optical pulse compression using Chalcogenide single-mode fibers, Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 081116.
11. Fu L.B., Rochette M., Ta'eed V., Moss D., and Eggleton B.J., Investigation of self-phase modulation based optical regeneration in single mode As2Se3
Chalcogenide glass fiber, Opt. Express 2005. V. 13. P 7637-7640.
12.Dinesh Chandra SATI1, Rajendra KUMAR, Ram Mohan MEHRA Influence of Thickness Oil Optical Properties of a: As2Se3 Thin Films // Turk J Phys, 2006. V.30. P.519- 527.
13.Lovu M., Shutov S., Rebeja S., Colomeyco E., Popescu M. Effect of metal additives on photodarkening kinetics in amorphous As2Se3 films // Journal of ptoelectronics and Advanced Materials 2000. V. 2, Issue: 1. P 53-58.
14.Jun J. Li Drabold. D. A.. Atomistic comparison between stoichiometric and nonstoichiometric glasses: The cases of As2Se3 and As4Se4 // Phys. Rev. 2001, V.
64. P. 104206-104213.
15.Hineva T., Petkova T.,Popov S., Pektov P.. Reithmaier J. P., Funrmann-Lieker T., Axente E.. Sima F.. Mihailescu C. N., Socol G., Mihailescu I. N. Optical
study of thin (As2Se3)1-x(AgI)x films // Journal of optoelektronics and Advanced Materials. 2007.V. 9. No. 2. February. P. 326 – 329.
16.Seema Kandpal, Kushwaha R. P. S.. Photoacoustic spectroscopy of thin films of As2S3, As2Se3 and GeSe2 // Indian Academy of Sciences.
PRAM ANA journal of physics. 2007. V. 69. No. 3. P. 481-484.
17.Andriesh A.M., Verlan V. I.. Donor- and acceptor-like center revealing by Photoconduktivity of amorphous thin As2Se3 films // Journal of Optoelectronic and Advanced Materials 2001. V. 3. No. 2, June. P. 455 – 458.
18. Verlan V. I. Native cenyers of elektron and hole traps in thin amorphous films As2S3 AND As2Se3 // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
2003. V. 5. No. 5. P. 1121 – 1134.
19.Dzh. A. Ahmedova Jelektrofizicheskie i fotojelektricheskie svojstva stekol (As2Se3)1-h (CdSe)h (X = 0.01, 0.03, 0.05) // Neorganicheskie materialy, 2019. T. 55. № 5. S. 544-546.
20. Selahattin Ozdemir, Mahmut Bucurgat. Photoelectical properties of TlGaSe2 Single Crystals // Solid State Sciences 2014. V.33. P. 26-30. DOI:10.1016/j.solidstatesciences.2014.04.006
21.Alexander K Fedotov, M.I.Tarasik, T. G. Mammadov, Ivan Svito et.al. Elektrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2 // Przeglad Elektrotechniczny. 2012. V. 88(7a). P. 301- 304.
22.Panich A.M. Electronic properties and phase transitions in low-dimensional semiconductors //Journal of Physics: Condensed Matter. 2008. V.20. P. 203-31.
23.Aliev I.I., Babanly K.N., Ahmedova Dzh.A., Mursakulov N.N., Shahbazov M.G., Gashimov H.M. Issledovanie fazoobrazovanie v sisteme As2S3-
In2Te3 i svojstva poluchennyh faz // Evrazijskij Sojuz Uchenyh 2021. T.1. № 9(90). S. 25-29.
24.Aliev I. I., Ahmedova Dzh A., Kahramanov Je. T. Harakter himicheskoe vzaimodejstvie i stekloobrazovanie v sisteme As2Se3-In2Te3 // Nauchnyj zhurn. Arhivarius. 2021. T: 7. №: 9 (63) S. 18-22.
25.Aliev I. I., Azhdarova D.S., Maksudova, T.F. Mehtieva S.A., Kahramanov Je.T., Ahmedova Dzh.A., Shahbazov M.G. Harakter vzaimodejstvija i stekloobrazovanija v sisteme // Evrazijskij Sojuz Uchenyh 2021. T.1. № 12 (93). C. 39-44.
26.Hvorestenko A.S. Hal'kogenidy mysh'jaka. Obzor iz serii "Fizicheskie i himicheskie svojstva tverdogo tela". - M., 1972. 92 s.
27.Fedorov P.I., Mohosoev M.V., Alekseev F.P. Himija gallija, indija i tallija. Izd. Nauka. Sibirskoe Otdelenie. Novosibirsk. 1977. 222 s.
28.Diagramma sostojanija dvojnyh metallicheskih sistem: Spravochnik: B3 t.:T.3.Kn. 2/Pod obshh. red. N.P.Ljakisheva. –M.: Mashinostroenie. 2000.-448 s.
2. Kirilenko V.V., Dembovskij S.A., Poljakov Ju.A. Opticheskie svojstva stekol v sistemah As2S3–TlS i As2Se3–TlSe // Izvestija AN SSSR. Neorganicheskie materialy, 1975, t.11, №11, s.1923-1928.
3. Kirilenko V.V., Nikitin V.K., Dembovskij S.A. Stekloobrazovanie i osobennosti himicheskogo vzaimodejstvija v hal'kogenidnyh sistemah As2H3–Tl2H // Izvestija AN SSSR. Neorganicheskie materialy, 1975, t.11, №11, s.1929-1935.
4. Aliev I.I., Babanly M.B., Farzaliev A.A. Opticheskie i fotojelektricheskie svojstva tonkih plenok stekol (As2Se3)1-h(TlSe)h (h=0,05-0,10) // XI Mezhdunarodnaja konferencija po fizike i tehnologii tonkih plenok. Ivanovo-Frankovsk, Ukraina, 7-12 maja, 2007, s. 86.
5. Flaschen S.S., Pearson A.F., Northover W.R. Formation and properties of low-melting glasses in the ternary systems As–Tl–S, As–Tl–Se and As–Se–S // J. Amer. Gram. Soc., 1960, v. 43, No1, p. 271-278.
6. Aliev I.I., Farzaliev A.A., Aliev I.G., Magammedragimova R.S., Veliev Dzh.A. Fazovye ravnovesija i stekloobrazovanie v sisteme As2S3- TlAs2S2Se2 // Himicheskie problemy, 2008, № 1, s. 215-218.
7. Aliev I.I, Aliev I.G., Farzaliev A.A., Veliev Dzh.A. Harakter vzaimodejstvija i stekloobrazovanija v sisteme TlAs2S4-Tl 3As2S3Se3 // Zhurn. neorgan. himii.2008.t.53.№6.s.1037-1039.
8. Veliev Dzh.A., Aliev I.I., Mamedova A.Z. Fazovoe ravnovesie v sisteme As2S3-TlSe // Zhurn. neorgan. himii. 2007.t.52. № 2.s.312-315.
9. Zargarova M.I., Mamedov A.N., Azhdarova Dzh.S., Ahmedova (Veliev) Dzh.A., Abilov Ch.I. Spravochnik: Neorganicheskie veshhestva, sintezirovannye i issledovannye v Azerbajdzhane. Baku. Izd. Jelm. 2004.462 s.
10.Fu L.B., Fuerbach A., Littler I.C.M., and Eggleton B.J., Efficient optical pulse compression using Chalcogenide single-mode fibers, Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 081116.
11. Fu L.B., Rochette M., Ta'eed V., Moss D., and Eggleton B.J., Investigation of self-phase modulation based optical regeneration in single mode As2Se3
Chalcogenide glass fiber, Opt. Express 2005. V. 13. P 7637-7640.
12.Dinesh Chandra SATI1, Rajendra KUMAR, Ram Mohan MEHRA Influence of Thickness Oil Optical Properties of a: As2Se3 Thin Films // Turk J Phys, 2006. V.30. P.519- 527.
13.Lovu M., Shutov S., Rebeja S., Colomeyco E., Popescu M. Effect of metal additives on photodarkening kinetics in amorphous As2Se3 films // Journal of ptoelectronics and Advanced Materials 2000. V. 2, Issue: 1. P 53-58.
14.Jun J. Li Drabold. D. A.. Atomistic comparison between stoichiometric and nonstoichiometric glasses: The cases of As2Se3 and As4Se4 // Phys. Rev. 2001, V.
64. P. 104206-104213.
15.Hineva T., Petkova T.,Popov S., Pektov P.. Reithmaier J. P., Funrmann-Lieker T., Axente E.. Sima F.. Mihailescu C. N., Socol G., Mihailescu I. N. Optical
study of thin (As2Se3)1-x(AgI)x films // Journal of optoelektronics and Advanced Materials. 2007.V. 9. No. 2. February. P. 326 – 329.
16.Seema Kandpal, Kushwaha R. P. S.. Photoacoustic spectroscopy of thin films of As2S3, As2Se3 and GeSe2 // Indian Academy of Sciences.
PRAM ANA journal of physics. 2007. V. 69. No. 3. P. 481-484.
17.Andriesh A.M., Verlan V. I.. Donor- and acceptor-like center revealing by Photoconduktivity of amorphous thin As2Se3 films // Journal of Optoelectronic and Advanced Materials 2001. V. 3. No. 2, June. P. 455 – 458.
18. Verlan V. I. Native cenyers of elektron and hole traps in thin amorphous films As2S3 AND As2Se3 // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
2003. V. 5. No. 5. P. 1121 – 1134.
19.Dzh. A. Ahmedova Jelektrofizicheskie i fotojelektricheskie svojstva stekol (As2Se3)1-h (CdSe)h (X = 0.01, 0.03, 0.05) // Neorganicheskie materialy, 2019. T. 55. № 5. S. 544-546.
20. Selahattin Ozdemir, Mahmut Bucurgat. Photoelectical properties of TlGaSe2 Single Crystals // Solid State Sciences 2014. V.33. P. 26-30. DOI:10.1016/j.solidstatesciences.2014.04.006
21.Alexander K Fedotov, M.I.Tarasik, T. G. Mammadov, Ivan Svito et.al. Elektrical properties of the layered single crystals TlGaSe2 and TlInS2 // Przeglad Elektrotechniczny. 2012. V. 88(7a). P. 301- 304.
22.Panich A.M. Electronic properties and phase transitions in low-dimensional semiconductors //Journal of Physics: Condensed Matter. 2008. V.20. P. 203-31.
23.Aliev I.I., Babanly K.N., Ahmedova Dzh.A., Mursakulov N.N., Shahbazov M.G., Gashimov H.M. Issledovanie fazoobrazovanie v sisteme As2S3-
In2Te3 i svojstva poluchennyh faz // Evrazijskij Sojuz Uchenyh 2021. T.1. № 9(90). S. 25-29.
24.Aliev I. I., Ahmedova Dzh A., Kahramanov Je. T. Harakter himicheskoe vzaimodejstvie i stekloobrazovanie v sisteme As2Se3-In2Te3 // Nauchnyj zhurn. Arhivarius. 2021. T: 7. №: 9 (63) S. 18-22.
25.Aliev I. I., Azhdarova D.S., Maksudova, T.F. Mehtieva S.A., Kahramanov Je.T., Ahmedova Dzh.A., Shahbazov M.G. Harakter vzaimodejstvija i stekloobrazovanija v sisteme // Evrazijskij Sojuz Uchenyh 2021. T.1. № 12 (93). C. 39-44.
26.Hvorestenko A.S. Hal'kogenidy mysh'jaka. Obzor iz serii "Fizicheskie i himicheskie svojstva tverdogo tela". - M., 1972. 92 s.
27.Fedorov P.I., Mohosoev M.V., Alekseev F.P. Himija gallija, indija i tallija. Izd. Nauka. Sibirskoe Otdelenie. Novosibirsk. 1977. 222 s.
28.Diagramma sostojanija dvojnyh metallicheskih sistem: Spravochnik: B3 t.:T.3.Kn. 2/Pod obshh. red. N.P.Ljakisheva. –M.: Mashinostroenie. 2000.-448 s.
Опубликован
2022-07-18
Как цитировать
Алиев, И.И, Р.М Рзаев, и Х.М Гашимов. 2022. «ИССДЕДОВАНЕ ХИМИЧЕСКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ И СТЕКЛООБРАЗОВАНИЯ В СИСТЕМЕ AS2SE3- TLТЕ». EurasianUnionScientists, июль, 15-20. https://bio-med.euroasia-science.ru/index.php/Euroasia/article/view/820.
Выпуск
Раздел
Статьи
CC BY-ND
Эта лицензия позволяет свободно распространять произведение, как на коммерческой, так некоммерческой основе, при этом работа должна оставаться неизменной и обязательно должно указываться авторство.
